Intel 2030 yılına kadar bir trilyon transistöre sahip bir çip üretecek

Moore Yasası, ilk olarak Fairchild Semiconductors ve Intel'in kurucu ortağı Gordon Moore tarafından yapılan bir gözlemdir. Moore Yasasının 1965 yılında oluşturulan ilk versiyonu, bir çipteki transistör sayısının her yıl ikiye katlanmasını gerektiriyordu. 1970'lerde Moore gözlemini revize etmek zorunda kaldı ve bunu transistör sayısının her iki yılda bir iki katına çıkacağını söyleyecek şekilde değiştirdi. Şu anki Intel CEO'su Pat Gelsinger, hızın, bir çipteki transistör sayısının her üç yılda bir ikiye katlanmasını bekleyebileceğimiz noktaya kadar yavaşladığını söylüyor.

Bir çipin transistör sayısı önemlidir çünkü sayı ne kadar büyük olursa bileşen o kadar güçlü ve enerji açısından verimli olabilir. Örneğin 2019 iPhone 11 serisi, her biri 8,5 milyar transistör taşıyan 7nm A13 Bionic yonga setinden güç alıyordu. iPhone 15 Pro ve iPhone 15 Pro Max'te kullanılan 3nm A17 Pro SoC, her yonga setinde 19 milyar transistör içeriyor ve A13 Bionic'e kıyasla performans ve güç tüketiminde büyük iyileştirmeler sunuyor.

 

Tom's Hardware'e göre , Manufacturing@MIT sempozyumunda yapılan bir konuşma sırasında Gelsinger, Moore Yasasının "canlı ve sağlıklı" olduğunu ilan etti ve Intel'in 2031 yılına kadar Moore Yasasının hızını geçebileceğini kaydetti. Intel'in süreç liderliğini TSMC ve Samsung'dan devralması bekleniyor. 2025'te A18 (1.8nm) proses düğümüyle Foundry, diğer iki dökümhanenin aynı yıl son teknoloji çipleri üretmek için kullanacağı 2nm düğümüyle karşılaştırıldığında.

Gelsinger konuşması sırasında şunları söyledi: "Sanırım yaklaşık 30-40 yıldır Moore Yasasının sona erdiğini ilan ediyoruz." Ve bu doğru olsa da şunu itiraf etti: "Artık Moore Yasasının altın çağında değiliz, bu artık çok çok daha zor, dolayısıyla muhtemelen her üç yılda bir fiilen iki katına çıkıyoruz, yani kesinlikle bir yavaşlama görüldü." Intel'in CEO'su, transistör sayısını artırmak için 2.5D ve 3D çip paketlemenin kullanımına dayalı bir "Süper Moore Yasası" konseptini öne sürüyor. Gelsinger buna "Moore Yasası 2.0" adını da veriyor.

Gelsinger ayrıca 2030 yılına kadar Intel'in bir trilyon transistöre sahip bir çip yaratabileceğini söyledi. CEO'nun bahsettiği dört şey bunun gerçekleşmesini sağlayabilir: RibbonFET transistörleri. Şu anda Samsung Foundy'nin 3nm üretimiyle kullandığı Gate-All-Around transistörler gibi, RibbonFET ile geçit, kanalın dört tarafını da kaplayarak akım sızıntılarını azaltır ve sürücü akımını artırır.

PowerVIA güç dağıtımı, bir trilyon transistöre sahip bir çipin üretilmesine yol açabilecek ikinci şeydir. Bu teknikle, güç kaynağı hatları çipin ön tarafı yerine arka kısmına yerleştirilerek güç ve performans artırılıyor. Üçüncüsü, önümüzdeki birkaç yıl içinde gelecek olan ve transistörlerin boyutunu küçülterek bir çipin içine daha fazlasının sığmasını sağlayacak yeni nesil süreç düğümleridir. 3D çip istifleme dördüncü sırada yer alıyor. Bu, 16 veya daha fazla entegre devrenin tek bir çip gibi çalışacak şekilde dikey olarak birbirine bağlanmasıdır.

Gerlsinger ayrıca son dönemde işletmenin ekonomisinin de değiştiğine dikkat çekiyor. "Yedi veya sekiz yıl önce modern bir fabrikanın maliyeti yaklaşık 10 milyar dolardı" dedi. "Şimdi maliyeti yaklaşık 20 milyar dolar, yani ekonomide farklı bir değişim gördünüz."

Yorum yazın

E-Posta Adresiniz Paylaşılmayacaktır işaretli alanlar zorunludur *